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        在烘干機(jī)系統(tǒng)內(nèi)，數(shù)據(jù)采集包括記錄存貯數(shù)據(jù)，更重要的是能在失去電源的情況下，不丟失任何資料。在數(shù)據(jù)采集的過(guò)程中，數(shù)據(jù)需要不斷高速寫入，EEPROM的寫入壽命和速度往往不能滿足要求。傳統(tǒng)半導(dǎo)體記憶體有兩大體系：易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)器。易失性記憶體如SRAM和DRAM在沒(méi)電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)，但這種存貯器具有高性能和易用等優(yōu)點(diǎn)。非易失性記憶體如EPROM，EEPROM和FLASH能在整個(gè)烘干機(jī)系統(tǒng)斷電后仍保存資料，但由于所有這些記憶體均起源自只讀存貯器技術(shù)，所以，不難想到它們都有不易寫入的缺點(diǎn)，如寫入緩慢、有限寫入次數(shù)、寫入時(shí)需要特大功耗等，且需要后備電源。可見(jiàn)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器不能滿足本系統(tǒng)的要求。而FRAM1808則能較好地克服以上缺點(diǎn)，其優(yōu)點(diǎn)如下：
（1）速度快：可以跟隨總線速度寫入。串口總線的FRAM的CLK的頻率高達(dá)20M，并且沒(méi)有10ms的寫等待，周期并口的訪問(wèn)速度為70ms。
（2）擦寫次數(shù)多：近乎無(wú)限次寫入，5V供電的FRAM的擦寫次數(shù)可達(dá)100億次。
（3）超低功耗：靜態(tài)電流小于10μA，讀寫電流小于150μA。EEPROM的慢速和高電流寫入令它需要高出FRAM2500倍的能量去寫入每個(gè)字節(jié)。
（4）非易失性：掉電后數(shù)據(jù)能保存10年，所有產(chǎn)品都是工業(yè)級(jí)。
        由于鐵電存貯器涵蓋RAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，又同時(shí)擁有ROM技術(shù)的非易失性特點(diǎn)，所以烘干機(jī)統(tǒng)采用鐵電存儲(chǔ)器FM1808。它具有32K內(nèi)存，完全能滿足系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的需要。

信息來(lái)自河南豫暉烘干機(jī)網(wǎng)：http://www.mingkedianzi.com

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